レポート: 1170 | 公開日: June, 2026

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)調査レポート：製品タイプ別（パワーアンプ、RFトランジスタ、RFダイオード、低雑音増幅器、ミキサー、発振器、スイッチ、減衰器、フィルタ、移相器）; 最終用途別 ; 周波数範囲別 ; 材料別 ; パッケージタイプ別 ; 技術別 — 日本の需要と供給の分析、成長予測、統計レポート 2026ー2035年

Japan RF & Microwave Semiconductor Market Research Report, Size, Share & Volume by Product Type (Power Amplifiers, RF Transistors, RF Diodes, Low Noise Amplifiers, Mixers, Oscillators, Switches, Attenuators, Filters, and Phase Shifters), End use, Frequency Range, Material, Package Type, Technology - Supply & Demand Analysis, Growth Forecasts, Statistical Report 2026- 2035

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Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)調査、規模、傾向のハイライト(予測2026ー2035年)

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)規模は、2025年には20億米ドルを超え、2035年末には41億米ドルに達すると推定されています。2026―2035年の予測期間中は、年平均成長率（CAGR) 7.4%で拡大します。2026年にはJapan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)業界規模は41億米ドルに達すると予測されています。

日本のRFおよびマイクロ波半導体市場は、5G/6Gネットワーク、ADAS（先進運転支援システム）や自動運転車向けの車載レーダーシステム、衛星通信技術、防衛用エレクトロニクスに対する需要の拡大によって牽引されています。この成長は、日本のデジタルインフラの拡充やモビリティの電動化を推進する政策によってさらに後押しされています。「日本半導体市場カントリー・コマーシャル・ガイド」の報告によると、半導体製造装置の売上高は2024年に27%急増し、2025年にもさらに10%増加しました。日本は、シリコンウェハーで約53%、フォトレジストで50%、コータ・デベロッパー（塗布・現像装置）で88%という世界市場シェアを誇っています。さらに、主要な半導体製造装置においても世界シェアの60～80%を占めており、高周波RF半導体の製造におけるリーダーとしての地位を確固たるものにしています。

日本のRFおよびマイクロ波半導体サプライチェーンは、シリコンウェハー、特殊ガス、電子グレードの化学物質など、上流工程の材料を輸入に大きく依存しています。その一方で、精密製造、ウェハー処理装置、高度な組み立てシステムといった分野では、強力な国内生産能力を有しています。こうした体制は、車載レーダー、5G/6G通信、防衛用エレクトロニクスなど、多岐にわたる分野におけるRF関連の用途を効果的に支えています。2023年におけるマイクロ波技術関連製品の輸入総数は4,686,920点、金額にして4404,361.72千米ドルに達しました。対照的に、輸出は730点（金額にして640.03千米ドル）にとどまり、輸入に比べて大幅に少ない水準でした。輸出先としては、主に「その他のアジア地域」、カタール、英国、シンガポール、米国などが挙げられます。これは、車載レーダー、5G/6G、防衛関連のRF用途を支える、需要の高い統合拠点としての日本の役割を反映しています。

日本の電子レンジ輸出出荷量（2023年）

国 / 地域	輸出価値（千米ドル）	出荷数量（個数）
その他のアジア諸国	296.92	483
カタール	211.00	6
英国	39.31	1
シンガポール	33.43	5
米国。	24.73	2

出典: WITS

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場): 主な洞察

基準年	2025年
予測年	2026－2035年
CAGR	7.4%
基準年市場規模（2025年）	20億米ドル
予測年市場規模（2026年）	41億米ドル
予測年市場規模（2035年）	41億米ドル
地域範囲	東京横浜大阪名古屋札幌福岡川崎神戸京都埼玉

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場) – 地域分析

日本のRF（高周波）・マイクロ波技術向け半導体市場は、高周波通信、車載レーダーシステム、産業オートメーション、さらには航空宇宙・防衛分野のアプリケーションを支えています。同市場は、5G通信エリアの拡大、ポスト5G/6G技術の開発、そして半導体イノベーションを推進する取り組みによって成長を続けています。こうした成長はデジタルインフラを強化し、高度な無線接続環境を促進するとともに、ミリ波、GaN（窒化ガリウム）、RF集積回路技術を通じた将来の技術進歩を後押ししています。

東京都は、都が実施する「Tokyo NEXT 5G Boosters Project」を追い風に、2035年末までに国内のRFおよびマイクロ波半導体セクターを主導すると見込まれています。このプログラムは、5GおよびBeyond-5G技術の社会実装を加速させることを目的に2023年度に開始されました。2025年度の取り組みの一環として、数多くのスタートアップ企業が最先端の無線技術イノベーションに対する支援を受けています。同プログラムは成果連動型の資金提供を行っており、開発主体は2023年度に最大80百万円、2024年度から2025年度にかけては年間最大110百万円の助成を受けることが可能です。さらに、「Tokyo Innovation Base（TIB）」には2025年に180,000人以上の来場者が見込まれ、800以上のイベントが開催される予定であり、これによりRFトランジスタ、パワーアンプ、RFフロントエンドモジュール、マイクロ波半導体デバイスへの需要が喚起されています。

大阪は、高度な半導体およびフォトニクス（光技術）のエコシステムを強みとして、2035年末までに国内のRFおよびマイクロ波半導体市場の大きなシェアを獲得すると予測されています。2024年には、大阪大学がSCREENホールディングスと共同で「SCREEN MIRAI Laboratory」を開設し、半導体の微細化や次世代製造技術の開発を推進しています。同大学のフォトニクス先端研究センター（PARC）は、フォトニクスに特化した100以上の研究室や数多くの専門研究ラボを活用し、RFデバイス、マイクロ波フォトニクス、光通信、そしてBeyond-5G/6G技術におけるイノベーションを加速させています。

このレポートの詳細については。

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過去のデータに基づく予測

会社の収益シェアモデル

地域市場分析

市場傾向分析

重要な地理的市場に関する分析を取得します。

主要エンドユーザー企業（消費別）

NTT Group
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
KDDI Corporation
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
SoftBank Corp.
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
Rakuten Mobile
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
Toyota Motor Corporation
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
Honda Motor Co., Ltd.
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
Sony Group Corporation
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
Panasonic Holdings Corporation
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
Mitsubishi Electric Corporation
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
NEC Corporation
- 消費単位（量）
- RFおよびマイクロ波半導体調達に割り当てられた収益の割合
- RFおよびマイクロ波半導体への支出 - 米ドル価値
- 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
- 主要製造拠点分析
  - グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)：成長要因と課題

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)の成長要因ー

5GおよびBeyond-5G通信インフラの拡大：日本における5Gインフラの整備拡大は、基地局、無線装置（RU）、および無線ネットワークで使用されるRFトランジスタの需要を大きく押し上げています。内閣官房によると、5Gの人口カバー率は2021年度の93.2%から2022年度には96.6%へと上昇しました。政府は2030年度末までに人口カバー率および高速道路・国道における道路カバー率を99%に引き上げることを目指しており、同時にBeyond-5G/6G技術の開発も進めています。こうした取り組みにより、通信インフラ全体において、高周波・高出力RFトランジスタ技術へのニーズが高まっています。
電動化目標と充電インフラの拡大：日本の自動車電動化戦略は、車両のコネクティビティ、テレマティクス、V2X通信、車載充電システム、およびバッテリー管理用電子機器に使用されるRFおよびマイクロ波半導体の需要を喚起しています。経済産業省の「グリーン成長戦略」によれば、2035年までに乗用車の新車販売を100%電動車にすることを目指しています。この移行を促進するため、政府は2030年までに150,000基の充電設備（うち30,000基は公共の急速充電器）を整備するほか、全国で約1,000カ所の水素ステーションを設置する計画です。コネクテッドカーや電動車のエコシステムが拡大することで、1台あたりの半導体搭載量が増加し、日本の自動車産業全体におけるRF・マイクロ波コンポーネントの需要が拡大すると見込まれています。

当社のJapan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)調査によると、以下はこの市場の課題です。

サプライチェーンの脆弱性と上流工程における強靭性の不足：日本の高周波（RF）およびマイクロ波半導体エコシステムは、特に特殊材料や製造工程への依存といった上流サプライチェーンの制約に起因する脆弱性を抱え続けています。政府の評価によれば、半導体サプライチェーンは特定の領域に著しく集中しており、地政学的紛争、自然災害、生産の急激な停止などによる供給途絶の影響を受けやすい状態にあります。こうした脅威は、通信や車載用RF機器に使用される部品の安定調達に直接的な影響を及ぼすため、政策主導による継続的な連携や、サプライヤーおよび製造企業における強靭性の強化が求められています。
技術的ギャップと先端製造能力の制約：半導体製造装置や材料の分野で日本が強みを有している一方で、政府の戦略では、世界のトップ企業と比較して最先端半導体の製造能力が依然として不足していることが指摘されています。この能力不足は、5G/6G、車載レーダー、および高周波アプリケーションに不可欠な先端RFおよびマイクロ波半導体デバイスの国内生産を制約する要因となっています。経済産業省は、先端ロジック半導体やIDM（垂直統合型デバイスメーカー）としての競争力を回復させるためには、新たな投資とエコシステムの再構築が必要であると強調しています。

この市場の主要な成長要因のいくつかを理解します。

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)のセグメンテーション

製品タイプ別（パワーアンプ、RFトランジスタ、RFダイオード、低雑音増幅器（LNA）、ミキサー、発振器、スイッチ、アッテネータ、フィルタ、移相器）

パワーアンプ部門は、2035年末までに日本のRFおよびマイクロ波半導体市場の収益の40.4%を占めると予測されています。この成長は、5Gおよびポスト5Gに向けた経済産業省（METI）の取り組みに起因しており、これにより基地局や高度な無線ネットワークで使用されるRF送信コンポーネントの需要が喚起されています。「特定高度情報通信システム開発供給導入促進法」に基づき、認定を受けたプロジェクトは、 Japan Finance Corporationを通じて最大720百万円の優遇融資を受ける資格が得られます。さらに、資本金300百万円以上の企業は、特定の投資プログラムに基づく支援の対象となります。こうした取り組みは、国内の半導体および通信インフラの開発を促進し、それによってRFパワーアンプ技術に対する長期的な需要を後押ししています。

最終用途別（通信、防衛・航空宇宙、自動車、民生用電子機器、産業、ヘルスケア・医療、試験・計測機器）

通信業界は、5Gネットワークの継続的な拡大や、Beyond-5Gおよび6Gに向けた政府主導の取り組みに支えられ、2035年末までRFおよびマイクロ波半導体の重要な需要源であり続けると予測されています。この業界における投資の活発さは、主要通信事業者の堅調な業績にも表れています。2025年度において、日本電信電話（NTT）は13,7047億円、KDDI Corporationは5,9180億円、SoftBank Corpは7,0387億円（前年比8%増で過去最高を記録）の売上高を計上しました。これらの統計は、通信インフラへの継続的な取り組みを示しており、その結果、高度なRFおよびマイクロ波半導体コンポーネントの需要が高まっています。

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)に関する当社の詳細な分析には、以下のセグメントが含まれます。

セグメント	サブセグメント
製品タイプ別	パワーアンプ GaN GaAs LDMOS シリコン広帯域ミリ波 RFトランジスタバイポーラ MOSFET LDMOS GaN GaAs シリコンゲルマニウム高出力小信号 RFダイオードショットキー PIN バラクタステップリカバリリミッタスイッチング検波低雑音増幅器 GaAs GaN シリコンゲルマニウム CMOS 広帯域ミリ波双方向超低雑音ミキサーパッシブアクティブシングルバランスダブルバランストリプルバランスイメージ
最終用途別	電気通信パワーアンプ RFトランジスタ RFダイオード低雑音アンプミキサー発振器スイッチ減衰器フィルタ位相シフター防衛・航空宇宙パワーアンプ RFトランジスタ RFダイオード低雑音アンプミキサー発振器スイッチ減衰器フィルタ位相シフター車載用パワーアンプ RFトランジスタ RFダイオード低雑音アンプミキサ発振器スイッチアッテネータフィルタ位相器コンシューマーエレクトロニクスパワーアンプ RFトランジスタ RFダイオード低雑音アンプミキサー発振器スイッチ減衰器フィルタ位相シフター産業・ヘルスケアパワーアンプ RFトランジスタ RFダイオード低雑音アンプミキサー発振器スイッチ減衰器フィルタ位相シフター医療機器パワーアンプ RFトランジスタ RFダイオード低雑音アンプミキサー発振器スイッチ減衰器フィルタ位相シフター試験・計測機器パワーアンプ RFトランジスタ RFダイオード低雑音アンプミキサー発振器スイッチ減衰器フィルタ位相シフター
周波数範囲別	UHF（極超短波） 300 MHz ～ 3 GHz 300 ～ 1000 MHz 1 ～ 3 GHz L帯の一部 SHF（超高周波） 3GHz～30GHz Sバンド Cバンド Xバンド Kuバンド Kバンド Kaバンド EHF（超高周波） 30GHz～300GHz Qバンド Vバンド Wバンドミリ波サブミリ波
材料別	ガリウムヒ素（GaAs）IC 高電子移動度トランジスタ（HEMT）モノリシックマイクロ波集積回路（MIC）擬似同形HEMT メタモルフィックHEMT 窒化ガリウムシリコン基板上GaN 炭化ケイ素基板上GaN 高電子移動度トランジスタモノリシック・マイクロ波集積回路ワイドバンドギャップシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタ BiCMOS 高周波トランジスタ低雑音増幅器シリコン CMOS LDMOS バイポーラトランジスタ SOI 受動部品リン化インジウム高電子移動度トランジスタヘテロ接合バイポーラトランジスタダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ低雑音増幅器ミリ波IC
パッケージタイプ別	表面実装 QFN SOT SOIC SSOP MSOP LGA BGA DFN PLCC スルーホール TO-220 TO-92 TO-247 TO-39 TO-18 DIP SIP セラミック・リーデッドチップスケールパッケージウエハレベルCSP フリップチップCSP ベアダイウルトラCSP 埋め込み型ウエハレベルBGA モジュール表面実装モジュールスルーホールモジュールシステムインパッケージマルチチップモジュールハイブリッドモジュールパワーモジュール集積モジュール
技術別	モノリシックマイクロ波集積回路 GaAs MMIC GaNミミック InP MMIC SiGe MMIC CMOSミミックパワーMMIC 低ノイズMMIC ブロードバンドMMIC ミリ波MMIC ハイブリッドマイクロ波集積回路（HMIC）厚膜HMIC 薄膜HMIC セラミック基板HMIC 有機基板HMIC ワイヤボンディングHMIC フリップチップHMIC 受動素子埋め込み型HMIC ディスクリートマイクロ波部品 RFトランジスタ RFダイオードパワーアンプダイ低雑音アンプダイミキサーダイ発振器ダイスイッチダイ減衰器ダイフィルタダイ位相シフターダイ抵抗器コンデンサインダクタトランス

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)を席巻する企業：

日本のRFおよびマイクロ波半導体企業は、GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）のパワーデバイス、RF集積回路、ミリ波技術、マイクロ波モジュール、光通信用コンポーネント、高度なパッケージング技術、車載レーダー用半導体、および無線接続ソリューションへの投資を通じて、市場における優位性を維持しています。日本のRFおよびマイクロ波半導体市場で活動する主要企業は以下の通りです。

Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)の主要プレイヤーは、以下の通りです。

Renesas Electronics Corporation (Tokyo)
Mitsubishi Electric Corporation (Tokyo)
ROHM Co., Ltd. (Kyoto)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Tokyo)
Fujitsu Semiconductor Limited (Kanagawa)
Socionext Inc. (Kanagawa)
Sony Semiconductor Solutions Corporation (Kanagawa)
Fuji Electric Co., Ltd. (Tokyo)
Kioxia Corporation (Tokyo)
Seiko Instruments Inc. (Chiba)

以下は、Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)における各企業の事業領域です。

会社概要
事業戦略
主要製品ラインナップ
財務実績
主要業績指標（KPI）
リスク分析
直近の動向
地域展開
SWOT分析

ニュースで

2025年12月、Fuji Electricは、電気自動車（EV）向けに機械的互換性を持つ炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュールを共同開発する目的で、ボッシュとの提携を発表しました。この取り組みは、インバーターの効率向上、電力損失の低減、そしてEVの航続距離延長を目指すものです。次世代の車載パワーエレクトロニクスや高度な半導体応用の分野において、SiC技術の重要性は高まっています。こうした技術の進展は、日本の半導体業界における富士電機の地位を強化するとともに、高効率パワーデバイスへの需要拡大に応えるものです。
2025年6月、Mitsubishi Electricは「5G-Advanced」基地局向けの小型7GHz帯GaN（窒化ガリウム）パワーアンプモジュールについて、世界初となる性能実証に成功しました。同モジュールは、独自の整合回路技術と高性能GaNトランジスタを組み合わせることで、業界トップクラスの電力効率を実現しています。将来の6Gネットワークを見据えたこの技術革新は、次世代無線インフラにおける設置効率の向上と消費電力の低減に寄与するものです。

レポートで回答された主な質問

質問: Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)はどのくらいの規模ですか？

回答: 2025年におけるJapan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)の規模は20億米ドルでした。

質問: Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)の見通しは何ですか？

回答: Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)の規模は、2025年に20億米ドルと推定され、予測期間（2026年～2035年）において年平均成長率（CAGR）7.4%で拡大し、2035年末までには41億米ドルを超えると見込まれています。

質問: Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)を支配している主要プレーヤーはどれですか?

回答: Murata Manufacturing Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Renesas Electronics Corporation, ROHM Co., Ltd., Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationは、日本における主要企業の一例です。

質問: 2035年までにJapan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)を牽引すると予想されるどんなセグメントですか？

回答: パワーアンプ・セグメントは、予測期間中に40.4%のシェアを占めると予想されています。

質問: Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)の最新動向・進歩は何ですか？

回答: Japan RF & Microwave Semiconductor Market (日本のRFおよびマイクロ波半導体市場)における最新のトレンドは、Beyond-5G/6Gネットワークを見据えたGaN（窒化ガリウム）ベースのRFデバイス、ミリ波（mmWave）コンポーネント、およびテラヘルツ技術の開発です。日本は、100Gbpsを超える伝送速度を実現する高周波半導体ソリューションの開発を推進すると同時に、次世代無線インフラ向けに、エネルギー効率に優れたGaNやSiC（炭化ケイ素）半導体技術への投資を拡大しています。

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