日本のRF GaN市場調査レポート：ウェーハ材料別（GaN-on-SiC、GaN-on-Si、GaN-on-Diamond）;デバイスタイプ別; 周波数帯域別; 最終用途産業別; 電力出力別 - 日本の需要と供給の分析、成長予測、統計レポート 2026ー2035年

日本のRF GaN市場の成長要因ー

• ワイドバンドギャップ半導体への政府による重点化：日本政府がワイドバンドギャップ半導体を戦略材料として正式に認定したことは、RF GaNに関する研究資金、材料開発、デバイスイノベーションに直接的な影響を与えています。これは、通信、レーダー、ハイテク通信ネットワークに適用可能な高周波・高効率半導体技術に対する公的研究開発予算の優先順位付けにつながっています。GaNはワイドバンドギャップ材料の中核を成すため、これらの政策は、RF GaNデバイスの国内生産能力の増強と需要の拡大につながる可能性があります。経済産業省は、2024年7月時点で、半導体関連予算を1.8兆円に増額しました（これには、GaNとSiCを中心としたワイドバンドギャップ材料の次世代研究開発への6,456億円が含まれます）。この政府の重点化により、RF GaN技術は通信、レーダー、5G/6Gインフラへの展開が加速しています。このプログラムでは、研究機関、大学、メーカーが協力し、通信インフラや産業用電子機器におけるGaNベースデバイスの商業化を加速させることが求められています。
• GaNパワーデバイスにおける特許活動：GaN技術における特許保有率は国内が圧倒的に高く、製品開発、製造体制の整備、そして日本のRF GaN市場の商業化を牽引しています。このリーダーシップは、サプライチェーンにおける日本の地位を強化するとともに、業界への投資の表れでもあります。さらに、2022年4月に経済産業省が発表した公式特許分析によると、GaNベースパワーデバイスに関する世界の特許ファミリーの約43.9%を日本企業が保有しており、ワイドバンドギャップ半導体技術の分野におけるイノベーションにおいて日本が先進国であることを示しています。これは、国内企業によるGaNデバイスの構造的発展、材料プロセス、そして性能技術の最適化が、日本のRF GaN市場の拡大を牽引していることを示しています。

当社の日本のRF GaN市場調査によると、以下はこの市場の課題です。

• 半導体工場における高い環境コンプライアンスコスト：日本の半導体生産は、環境省が制定・施行する大気汚染防止法および水質汚濁防止法に基づく厳格な環境規制によって管理されています。GaNウェーハおよびエピタキシャル層を扱う工場は、規制値を遵守するために、最新の排ガス浄化設備、廃水浄化設備、有害化学物質の廃棄設備を導入する必要があります。これらのニーズは、製造工場の設備投資および運用コストの面で非常に大きなものとなります。さらに、小規模メーカーや材料加工業者は、コンプライアンスインフラの費用が高いため、生産規模の拡大に苦労しており、日本のRF GaN市場の成長に悪影響を及ぼしています。
• 電力価格と炭素削減義務：日本のグリーン・トランスフォーメーション（GTF）およびカーボン・ニュートラル政策は、半導体製造などのエネルギー集約型セクターに圧力をかけ、排出量の削減と再生可能エネルギー源への移行を義務付けています。GaNウェーハの加工、結晶成長、クリーンルームでの作業には、継続的な高負荷電力が必要となるため、工場は産業用電力料金の上昇の影響を受けやすい状況にあります。日本のRF GaN市場におけるメーカーは、排出量報告書、エネルギー性能目標、そして再生可能エネルギーの調達を遵守することを余儀なくされており、その代償として操業コストの増加を余儀なくされています。再生可能エネルギーの供給が乏しい地域の企業は、他のエネルギー管理システムへの投資を増やすか、高額なグリーン電力を購入することを余儀なくされるでしょう。