日本のトンネル電界効果トランジスタ（TFET）市場調査レポート — 素材タイプ別（シリコンベース、III-V族化合物、2D材料）；最終用途産業別；デバイスタイプ別；アプリケーション別ー日本の需要と供給の分析、成長予測、統計レポート 2026ー2035年

日本のトンネル電界効果トランジスタ（TFET）市場の成長要因ー

• 省エネ型電子機器生産に向けた政府プロジェクト：省エネ型電子機器の生産を促進する政府の取り組みは、日本のTFET市場に多大な影響を及ぼしています。TFETをはじめとする低消費電力トランジスタは、民生用電子機器、産業用機器、そしてAI搭載アプリケーションにおける省電力化を推進する上で、ますます重要な存在となっています。経済産業省所管の資源エネルギー庁が2025年5月に発表した報告書によると、半導体製造工場やデータセンターの稼働拡大に伴い、日本の電力需要は実に20年近くぶりに増加に転じると予測されています。これは、2040年までに再生可能エネルギーによる電力供給比率を40%から50%に引き上げるという目標を掲げる中、TFETのようなエネルギー効率に優れたデバイスがいかに必要不可欠であるかを如実に物語っています。さらに、各メーカーが消費電力の削減や稼働効率の向上を経営の重点課題として掲げる中、こうした先進的なデバイスに対する需要は今後ますます高まっていくものと見込まれます。経済産業省（METI）は、NEDOを通じて、省エネ型電子機器の製造基盤を強化することを目的とした技術開発プロジェクトに対し、2024年度に24億円の予算を割り当てました。
• 材料・デバイス統合イノベーション政策：日本におけるTFETへの需要は、材料とデバイスの統合を推進する政府主導のイノベーション政策によって後押しされています。垂直ヘテロ構造TFETを含む最先端のトランジスタ設計は、高度な半導体材料技術と超微細加工技術を基盤としています。2024年7月に経済産業省が公表した報告書半導体・デジタル産業戦略によると、日本政府はTFET関連材料に対し、SUMCOのシリコンウェーハ向けに555百万米ドル、SiCウェーハ向けに76.3百万米ドルおよび74.1百万米ドル、基板向けに300百万米ドルおよび132百万米ドル、そしてガス向けに199百万米ドルという補助金の交付を決定しました。これにより、材料の安定供給の確保、研究開発の加速、および国内製造基盤の強化が図られ、日本におけるTFET技術の普及と成長が直接的に支援されています。また、科学技術振興機構（JST）によると、10の8乗という高いON/OFF比を実現した垂直ヘテロ構造TFETに関する近年の特許出願動向は、超低消費電力用途を支える材料およびデバイスのイノベーションが、公的機関によって正式に評価・認識されていることを示しています。

当社の日本のトンネル電界効果トランジスタ（TFET）市場査によると、以下はこの市場の課題です。

• 小規模メーカーにおける規模拡大の課題：日本の小規模TFETメーカーは、多額の設備投資資金が必要であり、事業運営にかかるコストも高額であるため、事業規模の拡大プロセスにおいて極めて厳しい課題に直面しています。また、政府による支援プログラムは大規模なプロジェクトに重点を置く傾向があるため、小規模な事業者は通常、大手企業ほどの手厚い資金援助や優遇措置を受けることができます。こうした不均衡は、生産能力の増強、高品質な材料への投資、あるいは大手企業との競争力を高めるという、彼らの潜在的な可能性を制限することになります。その結果、小規模企業によるイノベーションの停滞、新設計の導入遅れ、そして国内半導体製造能力の多様化不足といった要因が複合的に作用し、TFET技術の市場拡大に悪影響を及ぼす恐れがあります。
• インフラおよび人材面での制約：TFETデバイスの製造には、高度な技術インフラ、極めて精密な製造設備、そして高度な訓練を受けた専門人材が不可欠です。しかし、日本の半導体産業においては、最先端の製造インフラへのアクセスや、次世代トランジスタ技術の習得に特化したエンジニアの確保において、依然として制約が存在します。こうした制約は、生産効率の低下やTFET製品の市場投入時期の遅延を招くだけでなく、国内外で高まりつつある需要に対してメーカーが十分に対応しきれないという事態を引き起こしています。したがって、適切なインフラや有資格人材の不足は、市場全体の発展を阻害し、生産能力の限界を生じさせるとともに、主要産業へのTFET技術の導入プロセスを減速させる要因となっています。